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相较而言，荆州间隔液态基底可提供准原子级光滑的表面，有助于石墨烯的均匀生长。基于液态金属的相变过程，笔架变电前驱体在液态体相中的析出过程能被精确控制，从而实现自限制生长，获得近100%单层的二维材料（Chem.Mater., 2015, 27,8230。
千伏千伏拉曼的mapping图表明转移的石墨烯的均匀性。扩建d）在大气环境下石墨烯FET器件的典型传输曲线。未来的努力可以集中在其他2D材料在液态表面的自组装策略的开发上，工程例如过渡金属二硫族化物（TMDs），过渡金属碳化物（TMC）及其异质结构。
4）液体的流变表面为石墨烯单晶的自由旋转、湖北核准获批自对准和移动提供了理想的操作平台。荆州间隔e）Ga蒸气辅助的石墨烯直接生长的示意图。
g–i）通过逐渐增加额外的尖端，笔架变电石墨烯单晶从六角形到十二角形的形态变化图。
液态金属的各向同性和可流变性能触发石墨烯的各向同性生长，千伏千伏具有高活性边缘的圆形石墨烯单晶之间能通过旋转实现平滑拼接（ACSNano, 2016, 10,7189）。扩建c）具有有序结构的自对准石墨烯六角形单晶。
在生长过程中，工程设计合适的催化基底对于控制其厚度、形态和分布以及进一步应用十分重要。【引言】石墨烯的可控制备对于其实际应用至关重要，湖北核准获批但是化学气相沉积（CVD）方法传统使用的是固态金属基底（例如铜（Cu）和镍（Ni）），湖北核准获批其具有成核不均匀和碳偏析不可控的缺点。
荆州间隔b）滑移转移设备的照片。笔架变电c）边缘平行排列的六边形石墨烯阵列的SEM图像。
